京东方A公开薄膜晶体管及其制备方法、显示基板、显示装置专利

21 09月 2026

2026-09-21 12:15

企查查数据显示，京东方A（000725.SZ）公开薄膜晶体管及其制备方法、显示基板、显示装置专利，申请日期为2022年3月28日。专利摘要显示，一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板、显示装置。薄膜晶体管包括基底以及在基底上叠设的遮挡层、缓冲层、有源层、栅绝缘层和导电层；导电层包括栅电极、源电极和漏电极；有源层包括沟道区域、位于沟道区域两侧的源过渡区域和漏过渡区域、位于源过渡区域的远离沟道区域一侧的源连接区域、位于漏过渡区域的远离沟道区域一侧的漏连接区域、位于源过渡区域与源连接区域之间的第一覆盖区域、以及位于漏过渡区域与漏连接区域之间的第二覆盖区域；源过渡区域或漏过渡区域包括依次连接的第一子区、第二子区和第三子区，第一子区位于第二子区远离沟道区域的一侧，第三子区位于第二子区靠近沟道区域的一侧，第二子区的厚度与沟道区域的厚度不同。

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