2025年7月18日,由北京大学和中国人民大学科研团队历时四年研发,首创一种"蒸笼"方法成功实现高质量硒化铟材料的晶圆级集成制造,并研制出性能超越3纳米硅基芯片的晶体管器件。硒化铟因具备高迁移率和热速度快等优点,被视为有望替代硅基材料的新型半导体。该成果已发表于国际权威期刊《科学》。免责声明...

先进逻辑半导体制造商Rapidus公司近日宣布,其2nm栅极全能(GAA)晶体管结构的原型设计已在创新集成制造(IIM-1)代工厂进入试制阶段,首批原型晶圆已开展电性参数测试。自2023年9月动工以来,IIM-1工厂在短短三年内完成了洁净室建设,并于2025年6月完成200多台全球最先进半导体设备的安装,实现关键里程碑。R...

一项由宾州州立大学主导的研究成功利用二维材料开发出首台功能完备的CMOS计算机,标志着电子技术迈向更薄、更快、更节能的新阶段。研究团队选用二硫化钼和二硒化钨分别制造n型和p型晶体管,突破了传统硅材料在微型化过程中的性能瓶颈。该计算机虽运行频率较低,但已能执行简单逻辑运算,展现出显著优势。...

5月22日,美国亚利桑那大学研究团队通过超快光脉冲技术,在石墨烯中实现电子量子隧穿效应,成功开发出首个速度达拍赫兹的光电晶体管。该成果发表于《自然·通讯》,标志着计算机处理能力极限被重新定义,为超高速计算机技术带来重大突破。免责声明: 本文内容由开放的智能模型自动生成,仅供参考。

美国亚利桑那大学研究团队通过超快光脉冲操控石墨烯电子,利用量子隧穿效应,成功制造出速度达拍赫兹的光电晶体管。这一突破性成果发表于《自然·通讯》,将重新定义计算机处理能力极限,推动超高速计算机技术发展。免责声明: 本文内容由开放的智能模型自动生成,仅供参考。

[太平洋科技快讯]5月20日,联发科首席执行官蔡力行在台北电脑展(COMPUTEX)的主题演讲中宣布,其首款2nm制程芯片将于今年9月进入流片阶段,相较于目前的3nm制程,2nm制程将带来15%的性能提升和25%的功耗降低。根据爆料信息,联发科计划在今年9月发布的天玑9500仍然采用台积电3nm制程,而明年下半年推出的天...

[太平洋科技快讯]近日,台积电在北美技术论坛上公开了 N2 2nm 工艺的缺陷率(D0)情况。 尽管未披露具体数据,但台积电通过对比不同工艺缺陷率随时间变化的趋势,展现了 N2 工艺在缺陷控制方面的显著进步。据透露,在近两个月的试产中,N2 工艺的缺陷率与同期的 N5/N4 工艺相当,甚至略低,并显著优于 N7/N6 ...

[太平洋科技快讯]台积电在2025年北美技术论坛上正式公布了全新的A14 1.4nm级工艺。官方表示,A14是全新升级的一代工艺节点,而非过渡型工艺,并且A14预计将在2028年上半年实现量产。台积电A14工艺相较于其N2 2nm级工艺,在性能和功耗方面均有显著提升: 在同等功耗下,性能可提升10-15%；在同等性能下,功耗...

[太平洋科技快讯]2025年超大规模集成电路研讨会(VLSI Symposium)即将于6月8日至12日在日本京都举行。作为半导体领域的顶级国际会议,VLSI Symposium吸引了全球业界专家和学者的目光。近日,VLSI官方发布了预览文档,其中披露了一系列将在会上公布的论文,包括英特尔备受期待的18A制程技术细节。英特尔宣...

[太平洋科技快讯]近日,英特尔在2025年VLSI研讨会上公布了更多关于其最新制程节点Intel 18A的细节,展现了其在半导体领域的最新突破,并与台积电的2nm制程展开直接竞争。英特尔18A制程采用了两项关键创新技术: RibbonFET环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术。RibbonFET技术通过全环绕栅极设计,实现对...

在近期GTC大会的问答环节中,英伟达CEO黄仁勋表示,采用全环绕栅极(GAA)晶体管的下一代制程技术可能为处理器带来约20%的性能提升。然而,他强调,英伟达GPU的主要性能飞跃仍源于公司自身的架构创新和软件突破。黄仁勋在谈及2028年可能推出的"费曼"架构时提到,若采用GAA技术,性能或提升20%,但他同时淡化制...

近日,中国科学院微电子所集成电路先导工艺研发团队在堆叠纳米片全环绕栅(GAA)晶体管技术上取得重要进展。针对当前GAA器件沟道界面态较大、亚阈值开关性能不佳的问题,团队提出了一种低温臭氧准原子级处理(qALE)技术。该技术通过极薄厚度的臭氧自限制氧化与腐蚀反应,精准去除纳米片沟道表面残留的Ge原...

快科技7月14日消息,随着摩尔定律的放缓,传统的硅基芯片在10nm之后越来越难以制造,业界一直在寻找新的材料和技术,美国宾夕法尼亚大学的团队日前宣布研发出了新的铁电晶体管芯片,厚度最低可以做到0.7nm。铁电场效应晶体管(FE-FETs)跟传统的晶体管不同,这种材料具有非易失性,也就是断电之后数据不会清空...

作为半导体行业和计算创新领域的全球领先厂商,英特尔在该领域的地位非常高,其技术也是非常强大。近日,该公司高管又宣布了一则对未来技术方面的发展规划。英特尔据CNMO了解,英特尔研究院副总裁、英特尔中国研究院院长宋继强在《新算力时代,实现万亿晶体管》主题演讲中指出,英特尔有信心在2030年实现在...

在IEDM 2022 IEEE国际电子器件会议上,Intel公布了多项新的技术突破,将继续贯彻已经诞生75年的摩尔定律,目标是在2030年做到单芯片集成1万亿个晶体管,是目前的10倍。晶体管数量/密度一直是衡量半导体技术进步的重要指标,目前已经可以做到单芯片1000多亿个晶体管,比如Intel Ponte Vecchio GPU。摩尔定律...

纳米线有一个独特的特性。这些超薄的线可以承受非常高的弹性应变而不损坏材料的晶体结构。而这些材料本身却并不罕见。例如,砷化镓被广泛用于工业制造,并且已知其具有较高的内在电子迁移率。为了进一步提高这种流动性,德累斯顿的研究人员生产了由砷化镓芯和砷化铟铝壳组成的纳米线。不同的化学成分导...

据国外媒体报道,在首款自研Mac芯片M1推出近一年之后,苹果公司在今日凌晨发布会上,推出了备受期待的第二代自研Mac芯片,出乎外界意料的是,苹果一次性推出了两款,在芯片的命名方式上也并非外界此前预测的M1X或M2,而是借鉴了iPhone的命名元素,分别为M1 Pro和M1 Max。苹果方面表示,M1 Pro和 M1 Max不仅将...

一年多前,IBM就宣布了新一代企业级处理器Power10。现在,它终于上市了!Power10首次采用7nm工艺制造,确切地说是三星7nm EUV,18个金属层堆栈,集成了多达180亿个晶体管,核心面积602平方毫米。原生集成16个核心,但出于良品率考虑,只开启15个,每个都支持8线程,总计达到120线程,频率超过4GHz。每个核心有自...

我们知道,Intel Xe GPU架构分为四个层级,或者说四种微架构,其中以上是的Xe LP低功耗版仅供核显、入门独显,即将到来的Xe HPG高性能图形版面向中高端游戏显卡,Xe HP高性能版适合加速计算、AI、ML等但所知最少,Xe HPC高性能计算版则是最顶级的存在,主攻大型数据中心、超算。Xe HPG微架构的Alchmest(DG2)...

6月30日消息,据国外媒体报道,在2015年为苹果代工的A9芯片在iPhone 6s上的续航能力不及台积电所生产芯片一事出现之后,三星就再也未能获得苹果A系列处理器的代工订单,苹果的订单也就全部交给了台积电,三星随后在芯片制程工艺和良品率方面,也始终不及台积电,在芯片代工商市场的份额也远不及台积电。但在...