2026-09-18 18:37
【太平洋科技快讯】据路透社援引三位知情人士消息，国内DRAM龙头长鑫存储计划布局NAND闪存赛道，将在北京新建工厂搭建NAND闪存研发产线，同时设立专门研究院推进NAND闪存相关技术研发项目。
报道称，长鑫存储已经就NAND闪存产品和部分客户开展前期沟通，有一家初创企业有意采购其NAND芯片，用于AI系统、超级计算机相关存储硬件，报道并未披露该客户具体身份。现阶段这条研发产线的投产时间尚未对外明确，长鑫能否从研发试产过渡到大规模商业化量产，目前也没有确定结论。
长鑫存储当前主营DRAM内存业务，在合肥、北京拥有三座12英寸DRAM晶圆厂，国内产能排名第一，全球位列第四。长鑫自身DRAM业务增长势头显著，2026年第二季度DRAM业务营收达146.24亿美元，折合人民币约983亿元，环比大涨99.3%，市场占有率由一季度7.6%提升至9.5%。
此番布局NAND闪存，代表长鑫存储由DRAM业务，向着存储全品类方向拓展。
TrendForce集邦咨询统计数据显示，2026年第二季度全球NAND闪存市场由海外三家厂商占据主要地位，三星以29.3%份额排在首位，SK海力士、美光分列二三位。
国内NAND赛道已有长江存储实现技术突破，依托自研Xtacking架构深耕3D NAND领域，2026年一季度营收同比实现翻倍，全球市场份额约12%。长鑫入局之后，国内存储产业的竞争格局或将迎来新变化。
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