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三星电子在美国设立实验室,开发新一代3D DRAM

据业内人士称,全球最大存储芯片制造商三星电子在美国新设了一个研究实验室,以开发新一代3D DRAM。去年10月,三星电子透露,其正在为10纳米以下的DRAM准备新的3D结构,基于这一结构进一步提升单芯片容量,可以超过100千兆bit。此前,三星曾在2013年在业界首次成功实现了3D垂直NAND闪存的商用化。

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