东京科学研究所Pham Nam Hai教授团队近日取得重大突破,成功研发出新型铁磁半导体材料(Ga₀.₇₆Fe₀.₂₄)Sb,其居里温度高达530K(约256.85℃),创下该领域研究新纪录。这项发表在科技媒体NeoWin的研究成果显示,科研团队采用步进流生长技术,在偏轴GaAs基底上成功引入24%铁元素而不破坏晶体结构。
通过磁圆二色性光谱和Arrott图分析证实,该材料每个铁原子磁矩达4.5μB,接近理论理想值。值得注意的是,9.8纳米厚的样品在空气中存放1.5年后仍保持强磁性,居里温度仅降至470K。这项突破为开发高温自旋电子器件提供了新的材料基础。