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华为公开半导体相关专利

天眼查App显示,6月29日,华为技术有限公司公开“半导体器件及相关模块、电路、制备方法”专利,公开号CN113054010A,申请日期为2021年2月。

专利摘要显示,该器件包括:N型漂移层、P型基极层、N型发射极层、栅极、场截止层和P型集电极层等。上述半导体器件,可以有效降低IGBT的集电极与发射极之间的漏电流。

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