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SK海力士宣布1100万亿韩元半导体投资计划

2026年6月29日,韩国SK海力士宣布总额1100万亿韩元(约4.84万亿元人民币)的中长期投资战略。投资将分三地展开:龙仁建设4座DRAM晶圆厂,完工时间由2045年大幅提前至2033年;清州投入100万亿韩元升级NAND产线及HBM先进封装能力;西南地区获400万亿韩元用于存储器前端制程布局,选址待定。公司表示,海外建厂亦在评估中,将视基础设施与生态条件而定。

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