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消息称 SK 海力士完成中国江苏无锡 DRAM 内存晶圆厂制程升级

韩媒本月14日报道称,SK海力士已完成对中国江苏无锡DRAM内存晶圆厂的制程转换工作,主要工艺已从1z nm(IT之家注:第三代10纳米级)升级至1a nm(第四代10纳米级)。

无锡晶圆厂为SK海力士贡献了约1/3的DRAM产能,报道指在该厂当下每月18~19万片12英寸晶圆的投片量中已有大致九成为1a nm。由于1a nm需要EUV光刻但相关设备存在进口限制,因此无锡所产1a nm产品需要在韩国完成部分步骤。SK海力士官方对此不予置评。

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