2026年8月4日,技嘉正式推出AORUS P1600W电源。该产品为ATX 3.1/PCIe 5.1兼容旗舰型号,获80 Plus钛金牌认证,最大输出功率1600W。机身仅160mm长,采用氮化镓(GaN)技术与全日本电容,支持高密度供电。标配两根原生16-pin及两根双8-pin转16-pin PCIe线缆,满足高端显卡供电需求。内置Edge View LCD屏实时显...

7月30日,绿联将在全球发布新款Nexode Pro 160W自带线带屏充电头(型号X776)。该产品采用深灰色折叠插脚设计,正面配备彩色显示屏,支持实时电量显示；USB-C1接口及自带C线支持140W输出,双C口协同输出峰值达160W。产品搭载GaNInfinity氮化镓技术、Smart-Charge智能功率分配与Thermal Guard动态温控系统,...

2026年6月15日,倍思正式在海外市场推出旗舰扩展坞Spacemate RD1 Pro。该产品采用15合1设计,配备180W氮化镓电源适配器,扩展坞本体最高支持160W PD快充,并内置彩色显示屏实时显示接口状态与充电功率。支持单屏4K/120Hz或双屏4K/60Hz输出(Windows双屏扩展、macOS单屏扩展),顶部集成Qi2.2磁吸无线充(25W)...

2026年5月,深圳先导极星科技有限公司完成数千万元人民币Pre-A轮融资,由茂晟资本独家投资。该公司成立于2025年,系先导科技集团旗下聚焦射频与太空通信的业务平台,主攻砷化镓、氮化镓、磷化铟等第三代化合物半导体器件研发及产业化,产品应用于低轨卫星通信、6G基站、低空经济、雷达感知及高端医疗设备...

5月20日,德国英飞凌公司在欧盟正式启动为期3年的Moore4Power项目。该项目由英飞凌协调,汇聚来自15国的62家机构,总投资9100万欧元。旨在通过异构集成与功率芯粒技术,融合硅、碳化硅、氮化镓等材料,提升智能电力电子产品的效率、可靠性及产业化能力。重点面向风电、电动汽车和铁路运输领域,结合AI建模...

2026年6月9日至11日,DB HiTek将在德国纽伦堡参加PCIM Europe电力电子展。该公司将重点展示新一代碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)工艺研发成果,并推介其BCDMOS技术。此举旨在加速功率半导体代工能力升级,支撑新能源与电动汽车等领域需求。DB HiTek计划于2027年启动相关工艺全面规模化量产,目前已有约400家客...

4月26日,一加官方公布120W小方瓶双口超级闪充氮化镓充电器参数。该充电器单口最高120W,双口协同输出达125W,30分钟可为Ace 6至尊版充入约68%电量。其采用准分子工艺喷涂,附带软硅胶数据线,手感亲肤。同期发布的还有100W小方瓶Pro版,兼容第三方设备最高输出100W。两款产品将于4月28日19: 00与Ace 6至尊...

2026年4月21日,华硕官网正式上线TUF Gaming Platinum系列全模组电源。该系列含850W、1000W、1200W三款型号,均通过80 PLUS白金认证,并首次在主流PC电源中规模化应用氮化镓(GaN)MOSFET技术。产品采用150mm ATX规格,兼容ATX 3.1与PCIe CEM 5.1标准,配备135mm双滚珠轴承风扇及TUF 5K黑金电容,支持12V-2×...

2026年3月,三星显示(SDC)在韩国恢复量子点纳米棒LED(QNED)研发。该技术采用氮化镓纳米棒蓝光LED作为光源,通过喷墨印刷量子点层实现红绿光转换。相比Micro LED,QNED规避巨量转移难题,良率更高；相较QD-OLED,省去沉积工艺,成本更低、寿命更长、更适配大尺寸面板。当前主要瓶颈在于像素级约10个纳米LED...

联想宣布小新 Pro 16 GT AI 元启版笔记本将于2026年3月18日19时正式亮相。该机定位轻薄高性能AI笔记本,搭载英特尔酷睿Ultra系列处理器,配备99.9Wh大容量电池,符合国际航协随身携带标准；另配100W GaN氮化镓适配器,支持便携快充。发布地点为线上平台,面向全国消费者。新品聚焦移动办公与AI应用场景,旨...

2026年2月26日,日本罗姆公司宣布获得台积电氮化镓(GaN)制程技术授权。双方将整合罗姆在GaN功率器件的研发制造能力与台积电先进工艺,计划于2027年在滨松工厂建成量产体系,主要面向AI服务器等高增长应用。此举标志着台积电退出GaN自有业务后,加速推进技术授权合作。原车用GaN联合研发关系将随技术转让...

2026年2月9日,纳微(Navitas)宣布推出面向800V直流供电数据中心的10kW全氮化镓(GaN)DC-DC电源技术平台。该平台峰值转换效率达98.5%,满载效率98.1%,功率密度为2.1kW/立方英寸(约60kW/L)。采用650V与100V GaNFast FET、三电平半桥及同步整流拓扑,支持800V-50V与±400V-50V架构,并集成辅助电源与控制功能...

2026年1月27日,美国音频品牌Sonos正式推出Amp Multi--一款面向大型住宅的专业级多通道流媒体放大器。该产品专为专业安装人员设计,配备8路125瓦输出(8Ω),支持最多4个独立音频分区及24只建筑嵌入式音箱。采用氮化镓电源与D类后滤波反馈技术,实现静音无风扇运行；内置ProTune调音工具,支持10段EQ、延迟...

2025年12月11日,以色列氮化镓功率半导体供应商VisIC Technologies宣布完成B轮融资第二次交割,累计募资2600万美元。本轮融资由一家全球领先的半导体企业领投,现代汽车公司和起亚(统称"HKMC")作为战略投资者参与投资。资金将用于推进其在汽车高压应用领域的氮化镓器件研发与商业化进程。此次合作旨在加...

2025年12月3日,安森美与国内氮化镓企业英诺赛科签署备忘录,计划基于英诺赛科的200mm硅基GaN技术平台,扩大安森美40~200V中低电压GaN功率器件的制造规模。双方将结合安森美在系统集成、驱动器和封装方面的专长,以及英诺赛科在GaN晶圆制造领域的领先能力,提升生产效率并降低系统成本。此次合作有望加快...

2025年12月2日,美国国际贸易委员会裁定英诺赛科产品不侵犯英飞凌两项专利。本案为英飞凌于2024年7月提起的337调查,原指控涉及四项专利,后英飞凌自行撤回两项。此次裁决确认英诺赛科当前设计未侵权,是其在系列专利纠纷中的又一次关键胜利。该结果有助于推动氮化镓技术在全球范围内的健康发展。免责声...

德国英飞凌与日本罗姆于本月25日签署备忘录,宣布建立碳化硅(SiC)功率器件封装合作机制。双方将互为特定封装产品的第二供应商,提升客户在设计与采购上的灵活性。罗姆将采用英飞凌2.3mm标准高度顶部散热平台,英飞凌则将引入罗姆半桥结构SiC模块"DOT-247"并开发兼容封装。此次合作未来还将扩展至硅(Si)...

国内氮化镓龙头企业英诺赛科(Innoscience)近日透露,计划年底将8英寸晶圆月产能从目前的13000片提升至20000片,并锚定五年内实现每月7万片的中长期目标。企业表示,未来将通过提升产能和产品迭代,在性能与成本方面形成对传统硅基功率半导体的显著优势,为客户带来最高40%的性能提升和30%的成本节省。同时...

据纳微半导体披露文件显示,台积电计划于2027年7月停止氮化镓(GaN)晶圆制造。作为台积电在该领域的重要合作伙伴,日本罗姆半导体已基于650V工艺平台推出相关产品。台积电向EE Times Japan证实该决策,称此举"基于市场动态及长期战略",未来两年将继续保障客户需求,强调"持续为合作伙伴创...

随着技术的发展,无论是手机、平板电脑还是笔记本电脑,都进入了快充时代,与之相配套的充电器功率也是"水涨船高",由原来的5W、18W、65W,再到现在的百瓦级的充电功率。于此同时,我们出门需要带的"装备"也是越来越多,除了手机还有无线耳机、手表等,随之而来的就是需要充电的设备越来越多,对多口大功率充...