在2025年OCP全球峰会上,三星电子宣布加速下一代HBM4E高带宽内存研发,以满足英伟达未来Rubin AI GPU的严苛需求。据消息源披露,该内存单引脚速率将达13Gbps,配合2048个数据引脚可实现每秒3.25TB的惊人带宽,远超行业标准。
这一性能飞跃直接响应英伟达对Vera Rubin架构GPU的配套要求。相较于现有HBM3E内存,HBM4E不仅带宽提升2.5倍,能效也实现翻倍增长。三星计划于2027年实现该产品大规模量产,为AI计算领域注入新动力。
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