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LG电子进军混合键合设备领域 目标2028年量产

韩媒SEDaily报道,LG电子旗下生产技术研究所(PTI)已启动混合键合设备开发,计划于2028年实现大规模量产。混合键合技术是构建16层以上HBM内存堆栈的关键,通过铜-铜键合缩小DRAM Die间距,提升堆叠层数并降低发热。

目前,Besi和应用材料在该领域占据领先地位,但SK海力士和三星电子正寻求供应链本地化,为LG电子提供了市场机遇。此外,LG电子正强化AI与B2B业务,混合键合设备与其战略目标高度契合。

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