2026年6月12日,最高人民法院裁定维持苏州中院临时禁令,禁止英飞凌在中国境内销售涉侵权氮化镓产品。该案源于英诺赛科(珠海)诉英飞凌发明专利侵权案,苏州中院于5月27日一审判决英飞凌侵犯两项核心专利,须立即停止销售、许诺销售及进口行为,并赔偿1000万元。最高法复议裁定为终局决定,标志国内首起氮化...

2026年5月20日,三星电子宣布调整氮化镓(GaN)功率半导体业务方向,由器件销售转向代工为主。因650V级器件导通电阻(RDS)未达客户要求、效率偏低及模组策略放弃,样品未获量产订单。目前其已掌握650V GaN设计技术,适用于快充、UPS及PSU等场景。代工业务由DS部门CSS事业部主导,产线预计7月启动,已获多家客...

美国当地时间5月5日,肯辛通公司宣布扩充USB-C氮化镓电源适配器产品线,推出70W三口K38101NA与140W四口K38102NA两款新品。两款产品均支持多设备同时快充,适配笔记本、手机、平板等多场景需求。K38101NA售价39.99美元(约272.9元人民币),K38102NA售价89.99美元(约614.2元人民币)。同期发布240W USB PD 3....

4月28日,一加正式发布两款氮化镓充电器: 100W小方瓶Pro(单口,229元)与120W小方瓶双口(双C口,269元)。两款均采用红白机配色、可折叠插脚设计,支持SUPERVOOC、PD3.0、PPS、QC及UFCS等快充协议。100W款尺寸56×33.5×33.5mm,重约90g；120W款尺寸65×33.5×33.5mm,重约105g,双口最高输出为45W+80W。新品...

4月21日,OPPO官方商城上架两款新型氮化镓充电器: 100W单口小方瓶Pro(229元)与120W双口小方瓶(269元)。前者尺寸56×33.5×33.5mm、重约90g；后者尺寸65×33.5×33.5mm、重约105g,均采用类肤材质、可折叠插脚及双配色设计。两款均支持SUPERVOOC、PD3.0、PPS、QC、UFCS等快充协议,满足多设备高效兼容需...

2026年3月10日,广东省人民政府办公厅印发《广东省加快培育发展新赛道引领现代化产业体系建设行动规划(2026-2035年)》。规划明确将碳化硅、氮化镓列为重点材料,推动其规模化制备与产业化应用；同步开展氧化镓、氮化铝、金刚石等前沿材料及制备工艺攻关,并推进FD-SOI特色制造工艺、异质异构集成和光电...

2026年2月,镓奥科技宣布完成A轮融资,由矢量科学、欧菲光联合投资。公司总部位于中国,专注于氮化镓(GaN)功率器件及电源模组的研发、生产与销售。本轮资金将用于扩大产能、加速数据中心电源、家庭储能双向逆变、低空经济、机器人电控及2-4轮电动车双向充放电等场景的产品落地。公司核心战略聚焦新能源...

2026年2月,深圳晟鹏材料科技有限公司完成A轮融资。本轮融资由鼎和高达、清源投资、国汽投资、深圳担保集团及深创投联合投资。公司聚焦氮化硼基电子封装热管理材料的研发与产业化,产品已应用于新能源汽车、5G基站及半导体器件等领域。此次融资将用于产线扩建、技术研发及高端人才引进,以加速国产高性...

2026年1月28日,台积电向参股企业世界先进(VIS)授权650V高压与80V低压氮化镓(GaN-on-Si)制程技术。此举使世界先进成为全球首家同时提供GaN-on-Si与GaN-on-QST两种衬底、覆盖高低压应用的晶圆代工服务商。新平台将在其成熟八英寸产线验证,开发工作于2026年初启动,目标2028年上半年实现量产。技术升级旨...

2025年12月29日,宏微科技宣布与国内传动领域头部公司签署战略合作协议。双方将围绕电控、液压控制、伺服系统及机器人核心零部件中的功率半导体器件展开合作,重点联合研发氮化镓(GaN)功率半导体器件。此次合作旨在推动高性能功率器件在高端装备领域的应用。该协议为框架性安排,不涉及具体金额,对2025...

2025年12月27日,中信证券发布研报指出,氮化镓(GaN)器件的快速发展正推动机器人产业落地。得益于其高频、高效、高功率密度特性,GaN技术可显著提升机器人关节性能,使伺服驱动器体积缩减约50%,能量损耗降低50%-70%,从而实现更轻量化、高响应和高能效的运动控制。该技术有助于优化机器人设计,提升续航与...

2025年12月19日,安森美与格罗方德宣布达成合作,共同开发下一代氮化镓功率器件。此次合作将基于格罗方德200毫米增强型硅基氮化镓工艺,结合安森美在硅基驱动器、控制器及散热封装领域的技术,率先推出650V器件。新产品将面向AI数据中心、汽车、工业和航空航天等领域,提供更小巧、高能效的系统解决方案,...

2025年12月4日,九峰山实验室宣布成功研发氮化镓电源模块,可使超大型AI算力中心每年节省近3亿度电,相当于节约电费约2.4亿元。该模块采用第三代半导体材料氮化镓,相较传统硅基电源,电能损耗降低30%,体积缩小30%,成本也降至一半。目前项目已完成概念验证,正推进中试,预计3-5年内量产。团队已承接超千万...

2025年12月3日,英诺赛科与安森美半导体宣布达成战略合作,旨在加速推进氮化镓产业生态建设。双方将通过晶圆采购等方式,整合英诺赛科的氮化镓制造能力与安森美的系统封装及集成优势。此次合作聚焦新能源汽车、人工智能、数据中心和工业等领域,推动氮化镓技术快速落地。预计未来几年将带来数亿美元销售...

2025年10月13日,立昂微在互动平台披露,其子公司立昂东芯的6英寸碳化硅基氮化镓产品已通过客户验证,预计将于今年第四季度开始出货。该产品主要用于高性能射频及功率领域,标志着公司在第三代半导体材料技术上取得重要进展。此次进展系公司自主研发推进的结果,有助于提升在高端半导体市场的竞争力。免责...

DB HiTek宣布,其650V增强型氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)工艺开发已进入最终阶段。该8英寸特色晶圆代工厂将于10月底推出专属氮化镓多项目晶圆(MPW)服务,并计划在2026年底前陆续推出200V及集成电路优化的650V氮化镓工艺平台。为支持产能扩展,公司正在扩建韩国忠清北道的Fab2洁净室设施,预计每月...

立昂微近日表示,旗下立昂东芯6英寸碳化硅基氮化镓产品已通过客户验证,预计2025年下半年实现量产出货。该产品主要应用于航空航天、大型通讯基站、高铁机车及防卫市场等领域。公司凭借与砷化镓兼容的自动化产线,有效降低生产成本与故障率,并结合PED在电力电子领域的技术积累,在钝化和高压器件方面实现...

近日,高新技术企业海古德宣布完成新一轮融资,本轮融资由国调基金联合深创投、国投创业等机构共同参与。海古德专注于氮化铝陶瓷基片的研发与生产,其产品具备优异的热传导性、电绝缘性和低介质损耗,广泛应用于LED照明、集成电路及大功率器件的散热与封装领域。此次融资将助力企业进一步扩大生产规模,提...

2025年8月12日,深圳市在氮化镓/碳化硅集成领域取得突破性进展。由深重投集团与市科技创新局联合打造的国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台,首次在8英寸碳化硅衬底上实现高质量氮化铝镓/氮化镓异质结构外延,显著降低缺陷密度并提升散热性能。该成果打破技术瓶颈,为氮化镓/碳化硅混合晶体管产业...

8月4日,龙图光罩(688721)表示,公司为英诺赛科的氮化镓产品提供配套的半导体掩模版,并作为其主要供应商之一。双方已建立紧密合作关系,进一步推动相关产品的研发与生产。免责声明: 本文内容由开放的智能模型自动生成,仅供参考。