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02月 2026
SK海力士展示AIP技术:单次蚀刻超300层NAND
2026年2月11日,韩国首尔SEMICON Korea展会开幕。SK海力士副总裁李成勋宣布正推进AIP(All-in-Plug)技术,旨在突破3D NAND高堆叠制造瓶颈。当前HARC工艺单次仅能蚀刻100~200层,需多堆栈键合,推高成本、降低良率与效率;AIP可一次性蚀刻300层以上,显著减少工序、优化成本。公司目标是在V11 NAND世代导入...

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