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美光发布G11 NAND闪存: 超400层堆叠,密度翻倍

2026年10月21日,美光在美国举行技术网络研讨会,宣布将于2027年下半年量产G11 NAND闪存。该产品跳过G10世代,采用晶圆对晶圆键合技术,堆叠层数超400层,存储密度为现有276层G9的约2倍,I/O速率提升至高1.5倍,数据传输能耗降低25%以上。后续将引入高迁移率材料以强化能效。美光同步推出两类AI数据中心级NAND设计:SLC架构GPU直连IOPS优化型及带宽优化型(类HBF定义)。

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