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SK启方半导体完成宽电压SiC平面MOSFET工艺开发

2026年3月11日,韩国SK启方半导体宣布完成450~2300V碳化硅(SiC)平面MOSFET工艺平台开发。该成果系其收购SK powertech后首次技术整合落地。平台在高压环境下验证具备高可靠性与稳定性,良率超90%。公司已获一家SiC设计企业1200V产品订单,正推进开发,预计2027年上半年实现量产。

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