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三星与英伟达合作研发铁电NAND闪存

2026年3月13日,三星电子与英伟达宣布联合推进下一代铁电NAND闪存研发。双方联合佐治亚理工学院,开发出‘物理信息神经算子’模型,分析速度较现有方法提升超10,000倍。该技术聚焦铁电基NAND器件性能建模,旨在加速材料筛选与结构优化。合作覆盖研发至商业化全周期,目标是突破传统NAND密度与能效瓶颈。此举标志着存储芯片向AI驱动设计范式转型迈出关键一步。

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