2025年12月1日,据韩媒报道,三星电子计划削减30~40%的1a nm DRAM产能,该工艺主要用于HBM3E内存。此举旨在将产能转向盈利能力更强的1b nm通用内存产品,如DDR5、LPDDR5x和GDDR7。由于AI需求激增导致HBM挤占产能,通用内存供应紧张,价格大幅上涨,使得1b nm工艺利润反超1a nm。尽管三星已成为英伟达HBM3E供应商,但供货规模有限且售价低于竞争对手。通过制程转换,其1b nm月投片量有望增加8万片晶圆,以最大化整体收益。
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