在GMIF 2025创新峰会上,三星电子副总裁Kevin Yoon披露了公司AI存储产品的最新规划。据悉,该企业将推出涵盖新一代CXL内存模块和超大容量固态硬盘在内的一系列创新产品。
目前三星已实现CXL 2.0 CMM内存模块量产,并计划于2026年推出采用CXL 3.1/PCIe 6.0标准的CMM-D解决方案。在NAND闪存领域,预计2026年初发布的PCIe 6.0固态硬盘PM1763将在25W功耗下实现性能翻倍,能效提升60%。
针对超大容量存储需求,三星将在明后两年陆续推出256TB级(PCIe 5.0)和512TB级(PCIe 6.0)EDSFF 1T规格产品。同时,公司正在研发第七代Z-NAND技术,专为GIDS应用场景设计,有望实现业界领先的吞吐量表现。
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